SiC

Toshiba Merilis Fotokopler Penguat Gerbang SiC MOSFET dengan Fungsi Keamanan yang Ditingkatkan untuk Peralatan Industri

oleh
Toshiba Merilis Fotokopler Penguat Gerbang SiC MOSFET dengan Fungsi Keamanan yang Ditingkatkan untuk Peralatan Industri

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation memperkenalkan TLP5814H, sebuah gate driver optoelektronik berkecepatan tinggi dengan output +6.8A/-4.8A, dalam paket SO8L yang kecil, yang mencakup fungsi untuk mengendalikan MOSFET silikon karbida (SiC). Pengiriman volume dimulai hari ini. Pada rangkaian seperti inverter, di mana MOSFET atau IGBT digunakan secara seri, tegangan gate dapat dihasilkan oleh arus Miller … Baca Selengkapnya

Penambahan Toshiba 1200V pada Lineup Dioda Schottky Barier SiC Generasi Ketiga Akan Berkontribusi pada Efisiensi Tinggi dalam Peralatan Daya Industri

oleh
Penambahan Toshiba 1200V pada Lineup Dioda Schottky Barier SiC Generasi Ketiga Akan Berkontribusi pada Efisiensi Tinggi dalam Peralatan Daya Industri

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (\”Toshiba\”) telah menambahkan Seri “TRSxxx120Hx” 1200V ke lini produk dioda penghalang Schottky silicon carbide (SiC) generasi ketiga untuk peralatan industri, seperti inverter fotovoltaik, stasiun pengisian EV, dan sumber daya switching. Toshiba hari ini mulai mengirimkan sepuluh produk baru dalam seri ini, lima dalam kemasan TO-247-2L dan lima dalam kemasan … Baca Selengkapnya