Komisi Eropa (EC) sudah setuju dengan subsidi €450 juta ($518 juta) dari pemerintah Ceko untuk onsemi. Subsidi ini untuk membangun pabrik semikonduktor silicon carbide (SiC) baru di Rožnov pod Radhoštěm, Ceko. Dana ini adalah bagian dari investasi rencana onsemi yang totalnya €1,64 miliar. Pabriknya diharapkan selesai pada tahun 2027. Saat selesai, pabrik di Rožnov pod … Baca Selengkapnya
Kawasaki, Jepang–(ANTARA/Business Wire)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah meluncurkan tiga MOSFET silikon karbida (SiC) 650V yang dilengkapi dengan chip [1] MOSFET SiC generasi ke-3 terbaru mereka dan dibungkus dalam kemasan TOLL surface-mount. Perangkat baru ini cocok untuk peralatan industri, seperti catu daya mode switch dan pengkondisi daya untuk generator fotovoltaik. Pengiriman volume … Baca Selengkapnya
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation memperkenalkan TLP5814H, sebuah gate driver optoelektronik berkecepatan tinggi dengan output +6.8A/-4.8A, dalam paket SO8L yang kecil, yang mencakup fungsi untuk mengendalikan MOSFET silikon karbida (SiC). Pengiriman volume dimulai hari ini. Pada rangkaian seperti inverter, di mana MOSFET atau IGBT digunakan secara seri, tegangan gate dapat dihasilkan oleh arus Miller … Baca Selengkapnya
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (\”Toshiba\”) telah menambahkan Seri “TRSxxx120Hx” 1200V ke lini produk dioda penghalang Schottky silicon carbide (SiC) generasi ketiga untuk peralatan industri, seperti inverter fotovoltaik, stasiun pengisian EV, dan sumber daya switching. Toshiba hari ini mulai mengirimkan sepuluh produk baru dalam seri ini, lima dalam kemasan TO-247-2L dan lima dalam kemasan … Baca Selengkapnya