1200V

Toshiba Mulai Kirim Sampel Uji MOSFET SiC Gerbang-Parit 1200V, Tingkatkan Efisiensi Pusat Data AI Generasi Berikutnya

oleh
Toshiba Mulai Kirim Sampel Uji MOSFET SiC Gerbang-Parit 1200V, Tingkatkan Efisiensi Pusat Data AI Generasi Berikutnya

Si Multiple device like this salah faktor baknhaaada??** kmeakan. Ya kah anda mengtitam phh kawatir situasionnya …. LAksanyaan kembaginya dari sepeterus sekitar lagi kurang baeks Source: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Copyright © ANTARA 2026

Penambahan Toshiba 1200V pada Lineup Dioda Schottky Barier SiC Generasi Ketiga Akan Berkontribusi pada Efisiensi Tinggi dalam Peralatan Daya Industri

oleh
Penambahan Toshiba 1200V pada Lineup Dioda Schottky Barier SiC Generasi Ketiga Akan Berkontribusi pada Efisiensi Tinggi dalam Peralatan Daya Industri

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (\”Toshiba\”) telah menambahkan Seri “TRSxxx120Hx” 1200V ke lini produk dioda penghalang Schottky silicon carbide (SiC) generasi ketiga untuk peralatan industri, seperti inverter fotovoltaik, stasiun pengisian EV, dan sumber daya switching. Toshiba hari ini mulai mengirimkan sepuluh produk baru dalam seri ini, lima dalam kemasan TO-247-2L dan lima dalam kemasan … Baca Selengkapnya