Toshiba Luncurkan MOSFET Daya N-Channel 80V dengan Proses Generasi Terbaru untuk Tingkatkan Efisiensi di Pusat Data AI

Toshiba Luncurkan MOSFET Daya N-Channel 80V dengan Proses Generasi Terbaru untuk Tingkatkan Efisiensi di Pusat Data AI

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation meluncurkan “TPM1R408RH,” sebuah power MOSFET N-channel 80V yang dibuat dengan proses terbaru mereka, U-MOS11-H. MOSFET ini dirancang untuk catu daya switching pada peralatan industri di pusat data AI dan stasiun komunikasi. Pengiriman produk sudah dimulai hari ini. Permintaan daya di pusat data terus meningkat karena perkembangan AI. Selain itu, … Baca Selengkapnya

Toshiba Mulai Kirim Sampel Uji MOSFET SiC Gerbang-Parit 1200V, Tingkatkan Efisiensi Pusat Data AI Generasi Berikutnya

Toshiba Mulai Kirim Sampel Uji MOSFET SiC Gerbang-Parit 1200V, Tingkatkan Efisiensi Pusat Data AI Generasi Berikutnya

Si Multiple device like this salah faktor baknhaaada??** kmeakan. Ya kah anda mengtitam phh kawatir situasionnya …. LAksanyaan kembaginya dari sepeterus sekitar lagi kurang baeks Source: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Copyright © ANTARA 2026

Toshiba Luncurkan MOSFET SiC Generasi Ketiga 650V dalam Kemasan TOLL

Toshiba Luncurkan MOSFET SiC Generasi Ketiga 650V dalam Kemasan TOLL

Kawasaki, Jepang–(ANTARA/Business Wire)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah meluncurkan tiga MOSFET silikon karbida (SiC) 650V yang dilengkapi dengan chip [1] MOSFET SiC generasi ke-3 terbaru mereka dan dibungkus dalam kemasan TOLL surface-mount. Perangkat baru ini cocok untuk peralatan industri, seperti catu daya mode switch dan pengkondisi daya untuk generator fotovoltaik. Pengiriman volume … Baca Selengkapnya

Toshiba Merilis Fotokopler Penguat Gerbang SiC MOSFET dengan Fungsi Keamanan yang Ditingkatkan untuk Peralatan Industri

Toshiba Merilis Fotokopler Penguat Gerbang SiC MOSFET dengan Fungsi Keamanan yang Ditingkatkan untuk Peralatan Industri

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation memperkenalkan TLP5814H, sebuah gate driver optoelektronik berkecepatan tinggi dengan output +6.8A/-4.8A, dalam paket SO8L yang kecil, yang mencakup fungsi untuk mengendalikan MOSFET silikon karbida (SiC). Pengiriman volume dimulai hari ini. Pada rangkaian seperti inverter, di mana MOSFET atau IGBT digunakan secara seri, tegangan gate dapat dihasilkan oleh arus Miller … Baca Selengkapnya