MOSFET

Toshiba Luncurkan MOSFET SiC Generasi Ketiga 650V dalam Kemasan TOLL

oleh
Toshiba Luncurkan MOSFET SiC Generasi Ketiga 650V dalam Kemasan TOLL

Kawasaki, Jepang–(ANTARA/Business Wire)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah meluncurkan tiga MOSFET silikon karbida (SiC) 650V yang dilengkapi dengan chip [1] MOSFET SiC generasi ke-3 terbaru mereka dan dibungkus dalam kemasan TOLL surface-mount. Perangkat baru ini cocok untuk peralatan industri, seperti catu daya mode switch dan pengkondisi daya untuk generator fotovoltaik. Pengiriman volume … Baca Selengkapnya

Toshiba Merilis Fotokopler Penguat Gerbang SiC MOSFET dengan Fungsi Keamanan yang Ditingkatkan untuk Peralatan Industri

oleh
Toshiba Merilis Fotokopler Penguat Gerbang SiC MOSFET dengan Fungsi Keamanan yang Ditingkatkan untuk Peralatan Industri

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation memperkenalkan TLP5814H, sebuah gate driver optoelektronik berkecepatan tinggi dengan output +6.8A/-4.8A, dalam paket SO8L yang kecil, yang mencakup fungsi untuk mengendalikan MOSFET silikon karbida (SiC). Pengiriman volume dimulai hari ini. Pada rangkaian seperti inverter, di mana MOSFET atau IGBT digunakan secara seri, tegangan gate dapat dihasilkan oleh arus Miller … Baca Selengkapnya