Kawasaki, Jepang–(ANTARA/Business Wire)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah meluncurkan tiga MOSFET silikon karbida (SiC) 650V yang dilengkapi dengan chip [1] MOSFET SiC generasi ke-3 terbaru mereka dan dibungkus dalam kemasan TOLL surface-mount. Perangkat baru ini cocok untuk peralatan industri, seperti catu daya mode switch dan pengkondisi daya untuk generator fotovoltaik. Pengiriman volume untuk MOSFET, “TW027U65C,” “TW048U65C,” dan “TW083U65C,” dimulai hari ini.
Produk baru ini merupakan MOSFET SiC generasi ke-3 Toshiba dalam kemasan TOLL surface-mount serbaguna, yang mengurangi volume perangkat lebih dari 80% dibandingkan dengan kemasan through-hole seperti TO-247 dan TO-247-4L(X), dan meningkatkan kerapatan daya peralatan.
Kemasan TOLL juga menawarkan impedansi parasit[2] yang lebih rendah daripada kemasan through-hole, yang membantu mengurangi kerugian pensakelaran. Sebagai kemasan 4-terminal[3], sebuah sambungan Kelvin dapat digunakan sebagai terminal sumber sinyal untuk penggerak gerbang. Ini mengurangi pengaruh induktansi dalam kabel sumber di dalam kemasan, mencapai kinerja pensakelaran berkecepatan tinggi; dalam kasus TW048U65C, kerugian turn-on dan turn-off masing-masing berkurang sekitar 55% dan 25%[4] dibandingkan dengan produk Toshiba saat ini[5], yang akan berkontribusi pada pengurangan kerugian daya peralatan.
Toshiba akan terus memperluas jajarannya untuk berkontribusi pada peningkatan efisiensi peralatan dan kapasitas daya.
Catatan:
[1] Per Agustus 2025.
[2] Resistansi, induktansi, dll.
[3] Produk dengan terminal sinyal-sumber yang terhubung dekat dengan chip FET.
[4] Per Agustus 2025, nilai diukur oleh Toshiba. Untuk detailnya, lihat Gambar 1 di versi rilis ini di situs web Toshiba.
[5] MOSFET SiC 650V generasi ke-3 dengan voltase dan On-resistance setara yang menggunakan kemasan TO-247 tanpa sambungan Kelvin.
Aplikasi
Catu daya mode switch di server, pusat data, peralatan komunikasi, dll.
Stasiun pengisian daya EV
Inverter fotovoltaik
Catu daya tak terputus (UPS)
Fitur
Kemasan TOLL surface-mount: Memungkinkan miniaturisasi peralatan dan perakitan otomatis. Kerugian pensakelaran rendah.
MOSFET SiC generasi ke-3 Toshiba:
– Optimalisasi rasio resistansi drift dan resistansi saluran mewujudkan ketergantungan suhu yang baik pada drain-source On-resistance.
– Rendah drain-source On-resistance×muatan gerbang-drain
– Tegangan maju dioda rendah: VDSF=-1.35V(typ.) (VGS=-5V)
Spesifikasi Utama
(Terkecuali ditentukan lain, Ta=25℃)
| Nomor bagian | TW027U65C | TW048U65C | TW083U65C | |
|---|---|---|---|---|
| Kemasan | TOLL | |||
| Ukuran (mm) (Typ.) | 9.9×11.68×2.3 | |||
| Rating maksimum mutlak |
Tegangan drain-source VDSS (V) | 650 | ||
| Tegangan gerbang-source VGSS (V) | -10 to 25 | |||
| Arus drain (DC) ID (A) (Tc=25°C) | 57 | 39 | 28 | |
| Karakteristik listrik |
Drain-Source On-resistance RDS(ON) (mΩ) (VGS=18V, Typ.) | 27 | 48 | 83 |
| Tegangan ambang gerbang Vth (V) (VDS=10V) | 3.0 to 5.0 | |||
| Total muatan gerbang Qg (nC) (VGS=18V, Typ.) | 65 | 41 | 28 | |
| Muatan gerbang-drain Qgd (nC) (VGS=18V, Typ.) | 10 | 6.2 | 3.9 | |
| Kapasitansi masukan Ciss (pF) (VDS=400V, Typ.) | 2288 | 1362 | 873 | |
| Tegangan maju dioda VDSF (V) (VGS=-5V, Typ.) | -1.35 | |||
| Sampel & Ketersediaan | Beli Online | Beli Online | Beli Online | |
Ikuti tautan dibawah untuk info lebih lanjut tentang produk baru.
Ikuti tautan dibawah untuk info lebih lanjut tentang Perangkat Daya SiC Toshiba.
Untuk memeriksa ketersediaan produk baru di distributor online, kunjungi:
TW027U65C
TW048U65C